Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 24.09 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTTFSSCH1D3N04XL

Tillverk: Nr.:

NTTFSSCH1D3N04XL

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NTTFSSCH1D3N04XL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTTFSSCH1D3N04XL

På lager: 156

Lager:: 156

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 10 000

Förväntad 2026-06-05
Fabrikens ledtid:: 24

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	24,09 kr	24,09 kr
	15,59 kr	155,90 kr
	11,12 kr	1.112,00 kr
	9,28 kr	4.640,00 kr
	8,60 kr	8.600,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	7,31 kr	36.550,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	WDFN-9
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	207 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	28 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	107 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	123 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Serie:	NTTFSSCH1D3N04XL
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	43 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	18 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTTFSSCH1D3N04XL Datablad

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ R_DS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.