BGA5H1BN6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA5H1BN6E6327XT
BGA5H1BN6E6327XTSA1

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare RF MMIC SUB 3 GHZ

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 368

Lager:
6 368 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
5,53 kr 5,53 kr
4,72 kr 47,20 kr
4,46 kr 111,50 kr
4,07 kr 407,00 kr
3,85 kr 962,50 kr
3,66 kr 1.830,00 kr
3,29 kr 3.290,00 kr
2,82 kr 11.280,00 kr
2,54 kr 20.320,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 12000)
2,54 kr 30.480,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: RF-förstärkare
RoHS-direktivet:  
2.3 GHz to 2.69 GHz
1.5 V to 3.6 V
8.5 mA
18 dB
0.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 16 dBm
- 6 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Märke: Infineon Technologies
Ingångsreturförlust: 10 dB
Isolering dB: 36 dB
Antal kanaler: 1 Channel
Pd - Effektavledning: 60 mW
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 12000
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrekvens: 2.5 GHz
Del # Alias: BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Enhetens vikt: 0,830 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control.  The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the VCC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm2, the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.