VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs

Vishay Semiconductor VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs are high-performance silicon carbide (SiC) MOSFETs. The high blocking voltage, low on-resistance, high-speed switching, and low capacitance make these Vishay Semiconductor MOSFETs ideal for high-frequency switching applications, including solar inverters and EV chargers.

Resultat: 5
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Vishay Semiconductors MOSFET-moduler MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Datablad
314På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W
Vishay Semiconductors MOSFET-moduler MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Datablad
314På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W
Vishay Semiconductors MOSFET-moduler MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Datablad
148På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W
Vishay Semiconductors MOSFET-moduler MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Datablad
160På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W
Vishay Semiconductors MOSFET-moduler MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Datablad
160På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W