Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET features low on-resistance and low 0.6mm (maximum) height. This power MOSFET is available in a single-configuration Micro Foot® package. Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches with low voltage drop, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.

INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
  • Kontrollera art. nr. eller nyckelord
  • Använd kortare eller annat nyckelord
  • Sök på 1 art.nr. i taget
  • Använd 1 filter i taget