Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXH015F120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH015F120M3F1PTG
Price: 638.09 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-XH015F120M3F1PTG

Tillverk: Nr.:

NXH015F120M3F1PTG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NXH015F120M3F1PTG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXH015F120M3F1PTG

På lager: 28

Lager:: 28 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	638,09 kr	638,09 kr
	557,10 kr	5.571,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Press Fit
Paket/låda:	42.5 mm x 33.8 mm
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	77 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	19 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.4 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	198 W
Serie:	NXH015F120M3F1PTG
Förpackning:	Tray
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Quad
Falltid:	7.5 ns
Höjd:	12 mm
Längd:	42.5 mm
Produkt:	MOSFET Modules
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	8.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	28
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	103 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	33.3 ns
Vf - Framspänning:	4.67 V
Bredd:	33.8 mm

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXH015F120M3F1PTG Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ T_C = 80°C (T_J = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.