Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 21.69 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RH7E04BBJFRATCB

Tillverk: Nr.:

RH7E04BBJFRATCB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er DFN8 P-CH 30V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RH7E04BBJFRATCB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB

På lager: 2 400

Lager:: 2 400 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	21,69 kr	21,69 kr
	13,84 kr	138,40 kr
	9,66 kr	966,00 kr
	8,13 kr	4.065,00 kr
	7,24 kr	7.240,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	6,15 kr	18.450,00 kr
	6,08 kr	36.480,00 kr
	6,03 kr	54.270,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	65 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	75 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	105 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	160 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RH7E04BBJFRATCB Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET is a -30V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance (R_DS(ON)) of 7.52mΩ (max.) with V_GS = -10V, I_D= -20A or 11.3mΩ (max.) with V_GS = -4.5V, I_D = -10A. The total gate charge (Q_g) is 65.0nC (typ.) with V_DD = -15V, I_D = -10A, V_GS = -10V. The ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.