Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 7478.16 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

771-RDGD31603PHSEVM

Tillverk: Nr.:

RDGD31603PHSEVM

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg RDGD31603PHSEVM

Datablad:

RDGD31603PHSEVM Datablad (PDF)

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM

På lager: 4

Lager:: 4 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	7.478,16 kr	7.478,16 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	Strömhantering, IC-utvecklingsverktyg
RoHS-direktivet:	N
Produkt:	Reference Design Boards
Typ:	Inverter
Ingångsspänning:	12 V
Verktyget är till för utvärdering av:	GD3160
Märke:	NXP Semiconductors
Gränssnittstyp:	SPI
Produkttyp:	Power Management IC Development Tools
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Development Tools
Del # Alias:	935427963598

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RDGD31603PHSEVM Datablad (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 8473301180
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design demonstrates a three-phase inverter circuit based on six GD3160 Gate Drivers. The GD3160 is an advanced single-channel high-voltage isolated Gate Driver with enhanced features for driving and protecting Silicon Carbide (SiC) MOSFETs or IGBTs and functional safety. The RDGD3160I3PH5EVB supports SPI daisy chain communication for programming and communication with three high-side gate drivers and three low-side gate drivers independently. The Reference Design includes fault management and all supporting circuitry. Other supporting features on the board include desaturation short-circuit detection, IGBT/SiC temperature sensing, DC Link bus voltage monitoring, phase current sensing, and motor resolver excitation and signal processing connection circuitry.