Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D5N10MCTXG
Price: 78.04 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTBLS1D5N10MCTXG

Tillverk: Nr.:

NTBLS1D5N10MCTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er PTNG 100V STD TOLL

Datablad:

NTBLS1D5N10MCTXG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTBLS1D5N10MCTXG

På lager: 2 738

Lager:: 2 738 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	78,04 kr	78,04 kr
	53,19 kr	531,90 kr
	41,53 kr	4.153,00 kr
	41,42 kr	41.420,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	36,95 kr	73.900,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	312 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	131 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	322 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	90 ns
Transkonduktans framåt - Min:	230 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	71 ns
Serie:	NTBLS1D5N10MC
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	83 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	39 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTBLS1D5N10MCTXG Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET has a low R_DS(on), ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D5N10MC features a low Q_G and capacitance to enhance performance by minimizing charge/discharge times. This MOSFET significantly reduces switching noise and electromagnetic interference (EMI), contributing to a cleaner signal environment.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.