Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Minnesstorlek Gränssnittstyp Organisation Paket/låda Åtkomsttid Minimal matningsspänning Maximal matningsspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray 141På lager
Min.: 1
Multipla: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray 67På lager
Min.: 1
Multipla: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
47På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
480På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 126
Multipla: 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray