RBRxx60ANZ Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Produkt
Monteringsstil
Paket/låda
Konfiguration
Teknologi
If - Framström
Vrrm - Repetativ backspänning
Vf - Framspänning
Ifsm - Stötström framåt
Ir - Motström
Maximal drifttemperatur
Förpackning
ROHM Semiconductor Schottky-dioder och -likriktare Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky-dioder och -likriktare Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky-dioder och -likriktare Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube