P-kanals effekt-MOSFET:ar på 12-250 V

Infineons P-kanals effekt-MOSFET:ar på 12-250 V ger konstruktören ett nytt alternativ som kan förenkla kretsarna och optimera prestandan. Den främsta fördelen för en P-kanalsenhet är minskningen av designens komplexitet i medelstora tillämpningar och lågeffekttillämpningar. P-kanals effekt-MOSFET:ar är perfekt lämpade för batteriskydd, skydd mot omvänd polaritet, linjär batteriladdning, lastväxling, DC-DC-omvandlare och drivtillämpningar för lågspänning.

Resultat: 27
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning


Infineon Technologies MOSFET:er IFX FET >80 - 100V
915Förväntad 2026-02-24
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er SMALL SIGNAL MOSFETS
3 370Förväntad 2026-03-26
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 200 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel