P-kanals effekt-MOSFET:ar på 12-250 V

Infineons P-kanals effekt-MOSFET:ar på 12-250 V ger konstruktören ett nytt alternativ som kan förenkla kretsarna och optimera prestandan. Den främsta fördelen för en P-kanalsenhet är minskningen av designens komplexitet i medelstora tillämpningar och lågeffekttillämpningar. P-kanals effekt-MOSFET:ar är perfekt lämpade för batteriskydd, skydd mot omvänd polaritet, linjär batteriladdning, lastväxling, DC-DC-omvandlare och drivtillämpningar för lågspänning.

Resultat: 27
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er SMALL SIGNAL MOSFETS 3 006På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er SMALL SIGNAL MOSFETS
5 000Förväntad 2026-10-15
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 3.9 A 160 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel