NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 53.19 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVBLS1D2N08XTXG

Tillverk: Nr.:

NVBLS1D2N08XTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T10 80V SG TOLL

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVBLS1D2N08XTXG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVBLS1D2N08XTXG

På lager: 470

Lager:: 470

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 000

Förväntad 2026-03-02
Fabrikens ledtid:: 19

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	53,19 kr	53,19 kr
	37,61 kr	376,10 kr
	32,48 kr	3.248,00 kr
	31,61 kr	15.805,00 kr
	30,63 kr	30.630,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	29,98 kr	59.960,00 kr
10 000	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H-PSOF-8L
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	299 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	121 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	197 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	294 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	23 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	40 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVBLS1D2N08XTXG Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET features a low Q_RR, R_DS(on), and Q_G to minimize driver and conduction loss. The MOSFET is AEC-Q101-qualified for automotive 48V system applications. The device operates with an 80V drain-to-source voltage and 299A continuous drain current. The onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET is available in a H-PSOF8L package.