QPD0005MTR13

Qorvo
772-QPD0005MTR13
QPD0005MTR13

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 646

Lager:
1 646 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
99,84 kr 99,84 kr
69,65 kr 696,50 kr
66,49 kr 1 662,25 kr
57,66 kr 5 766,00 kr
55,05 kr 13 762,50 kr
51,01 kr 25 505,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
43,27 kr 108 175,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
4.5 mm x 4 mm
48 V
Märke: Qorvo
Förstärkning: 18.6 dB
Maximal driftsfrekvens: 5 GHz
Minsta driftfrekvens: 2.5 GHz
Fuktkänsliga: Yes
Utgångseffekt: 8 W
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkttyp: GaN FETs
Serie: QPD0005M
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Transistortyp: HEMT
Del # Alias: QPD0005M
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD0005M RF JFET Transistors

Qorvo QPD0005M RF JFET Transistors are single-path discrete GaNs on SiC HEMT in a plastic overmold DFN package. The transistors operate from 2.5 to 5.0GHz. The devices are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a PSAT of 5.9W at +48V operation.