IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 195.11 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-DQ60R010S7AXTMA1

Tillverk: Nr.:

IPDQ60R010S7AXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er AUTOMOTIVE_COOLMOS

Datablad:

IPDQ60R010S7AXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPDQ60R010S7AXTMA1

På lager: 918

Lager:: 918

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 750

Förväntad 2026-03-26
Fabrikens ledtid:: 22

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	195,11 kr	195,11 kr
	146,17 kr	1.461,70 kr
	130,26 kr	13.026,00 kr
	127,64 kr	63.820,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 750)
	121,86 kr	91.395,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	50 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	318 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	694 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	750
Underkategori:	Transistors
Del # Alias:	IPDQ60R010S7A SP002063384

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPDQ60R010S7AXTMA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device is a high voltage power MOSFET, designed as a static switch. The device was designed according to the Infineon Technologies' super-junction (SJ) principle. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation for low R_DS(on) in a QDPAK package. The S7A series is optimized for low-frequency switching and high current applications like circuit breakers.