Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 17.22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMYS3D8N04CLTWG

Tillverk: Nr.:

NVMYS3D8N04CLTWG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 40V LL LFPAK

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

NVMYS3D8N04CLTWG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMYS3D8N04CLTWG

På lager: 3 000

Lager:: 3 000 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17,22 kr	17,22 kr
	15,59 kr	155,90 kr
	10,41 kr	1 041,00 kr
	8,48 kr	4 240,00 kr
	7,43 kr	7 430,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,56 kr	13 680,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	LFPAK-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	87 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	18 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	55 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	80 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	100 ns
Serie:	NVMYS3D8N04CL
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9.3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMYS3D8N04CLTWG Datablad

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS3D8N04CL Power MOSFET

onsemi NVMYS3D8N04CL Power MOSFET is a single N-channel MOSFET designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This power MOSFET operates at 40V Drain-to-Source voltage, 3.7mΩ drain resistance, and 87A continuous drain current. The NVMYS3D8N04CL N-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications that require enhanced board-level reliability. This device is Pb-free and RoHS Compliant. The NVMYS3D8N04CL is ideal for reverse battery protection power switches, switching power supplies, solenoid drivers, motor control, and load switches.