Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 88.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NDSH20120C

Tillverk: Nr.:

NDSH20120C

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Datablad:

NDSH20120C Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NDSH20120C

På lager: 164

Lager:: 164 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	88,93 kr	88,93 kr
	61,48 kr	614,80 kr
	58,72 kr	7.046,40 kr
	51,94 kr	26.489,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	20 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	1.2 kV
Vf - Framspänning:	1.38 V
Ifsm - Stötström framåt:	119 A
Ir - Motström:	200 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Pd - Effektavledning:	214 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NDSH20120C Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH20120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.