TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

Resultat: 11
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Datablad
991På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
Datablad
2 495På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET:er N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Datablad
156På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Datablad
121På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
79På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Datablad
19På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datablad
89Förväntad 2026-06-15
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel