Tredje generationens MOSFET:ar av kiselkarbid

Tredje generationens MOSFET:ar av kiselkarbid från Toshiba är utformade för industriella högeffekttillämpningar som t.ex. AC-DC-strömförsörjningar på 400 V AC. Andra tillämpningar innefattar solcellsomvandlare (PV) och dubbelriktade DC-DC-omvandlare för avbrottsfri strömförsörjning (UPS). Dessa MOSFET:ar bidrar till att minska strömförbrukningen och förbättra effekttätheten. Detta tack vare SiC-teknik som gör det möjligt för enheter att leverera högre spänning, snabbare växling och lägre på-motstånd. Tredje generationens kretsdesign från Toshiba erbjuder förbättrad tillförlitlighet utöver en ingångskapacitans (CISS) på 4850 pF (typisk), en låg gate-inputladdning (Qg) på 128 NC (typisk) och ett på-motstånd från dränering till källa (RDS(On)) på endast 15 mΩ eller 30 mΩ (typisk).

Resultat: 24
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Datablad
111På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Datablad
82På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datablad
2 500På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datablad
2 480På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datablad
2 493På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datablad
2 500På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datablad
31På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datablad
49På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datablad
142På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Datablad
224På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Datablad
50På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Datablad
45På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Datablad
40På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Datablad
82På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Datablad
36På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Datablad
15På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Datablad
25På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Datablad
58På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Datablad
61På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Datablad
4På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Datablad
77På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Datablad
25Förväntad 2026-05-01
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFET:ar G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement