CDMS24783-120 SL

Name: Central Semiconductor CDMS24783-120 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM24783120SL
Price: 268.36 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

610-CDM24783120SL

Tillverk: Nr.:

CDMS24783-120 SL

Tillverk:

Central Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

CDMS24783-120 SL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Central Semiconductor CDMS24783-120 SL

På lager: 40

Lager:: 40 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 1 vecka Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	268,36 kr	268,36 kr
	174,07 kr	1.740,70 kr
	173,75 kr	20.850,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Central Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	150 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	55 C
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	28 W
Kanalläge:	Depletion
Märke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CDMS24783-120 SL Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.