Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs
ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.
INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
- Kontrollera art. nr. eller nyckelord
- Använd kortare eller annat nyckelord
- Sök på 1 art.nr. i taget
- Använd 1 filter i taget