Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 24.85 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVMFS5C645NT1G

Tillverk: Nr.:

NVMFS5C645NT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

Datablad:

NVMFS5C645NT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFS5C645NT1G

På lager: 5 293

Lager:: 5 293 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 45 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	24,85 kr	24,85 kr
	21,04 kr	10.520,00 kr
	11,99 kr	11.990,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	7,96 kr	11.940,00 kr
	7,31 kr	21.930,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	92 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	20.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	79 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.8 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	36.3 ns
Serie:	NVMFS5C645N
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	27 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13.2 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFS5C645NT1G Datablad

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS5C645N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFS5C645N Single N-Channel Power MOSFETs features a 92A continuous drain current, 4.6mΩ at 10V R_DS(ON), and 60V drain-to-source voltage. The NVMFS5C645N is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101 qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.