Resultat: 7
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3 067På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3 477På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3 457På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3 471På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V 4 274På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
5 000Förväntad 2026-10-22
Min.: 1
Multipla: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
4 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape