MRF1K50HR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

Tillverk:

Beskrivning:
RF MOSFET-transistorer Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 46

Lager:
46 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
4.188,87 kr 4.188,87 kr
3.628,07 kr 36.280,70 kr
3.488,11 kr 87.202,75 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
3.403,74 kr 170.187,00 kr
100 Beräkning
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
NXP
Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: NXP Semiconductors
Transkonduktans framåt - Min: 33.5 S
Antal kanaler: 2 Channel
Pd - Effektavledning: 1.667 kW
Produkttyp: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF1K50H
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning: + 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning: 2.2 V
Del # Alias: 935313284178
Enhetens vikt: 0,001 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor

NXP MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power with superior ruggedness and thermal performance. The transistor is designed to deliver 1.50kW CW at 50V and allows a reduction in the number of transistors in high-power RF amplifiers. MRF1K50H has an input and output design that allows for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz. Applications include laser and plasma sources to particle accelerators, industrial welding machines, radio and VHF TV broadcast transmitters, and amateur radio linear amplifiers.