SUM40014M-GE3

Vishay / Siliconix
78-SUM40014M-GE3
SUM40014M-GE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er TO263 N-CH 40V 200A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 445

Lager:
4 445 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
41,64 kr 41,64 kr
27,58 kr 275,80 kr
19,51 kr 1.951,00 kr
19,40 kr 9.700,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
17,00 kr 13.600,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
990 uOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
182 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
ThunderFET
Reel
Cut Tape
Märke: Vishay / Siliconix
Falltid: 35 ns
Transkonduktans framåt - Min: 140 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 10 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 800
Underkategori: Transistors
Transistortyp: ThunderFET Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 1,600 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SUM40014M N-Channel 40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET provides 40VDS drain-source voltage in a single-configuration D2PAK package with ThunderFET® power. The MOSFET utilizes a lead-free and RoHS-compliant design and is 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET is suitable for use in DC/DC converters, battery management applications, power tools, and motor drive switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.