PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Förpackning
Panjit MOSFET:er 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datablad
2 989På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET:er 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datablad
2 537På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape