SGT350R70GTK

STMicroelectronics
511-SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Komplettera din design

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om STMicroelectronics SGT350R70GTK

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
DPAK-3
700 V
6 A
350 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Falltid: 6.1 ns
Fuktkänsliga: Yes
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Förpackning: MouseReel
Produkt: FET
Produkttyp: GaN FETs
Stigtid: 3.5 ns
Serie: SGT
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Typ: PowerGaN Transistor
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 1.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 0.9 ns
Enhetens vikt: 300 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.

På lager: 587

Lager:
587 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
25,55 kr 25,55 kr
16,54 kr 165,40 kr
11,34 kr 1 134,00 kr
9,08 kr 4 540,00 kr
8,48 kr 8 480,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
7,59 kr 18 975,00 kr
7,21 kr 36 050,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.