RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
2 490
Förväntad 2026-06-04
2 500
Förväntad 2026-06-11
Fabrikens ledtid:
16
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
77,06 kr 77,06 kr
53,30 kr 533,00 kr
41,64 kr 4.164,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
35,32 kr 88.300,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: MOSFET:er
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Falltid: 200 ns
Transkonduktans framåt - Min: 27 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 90 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 195 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 72 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RY7P250BM Power MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM Power MOSFET is designed with a low on-resistance of 1.86mΩ (maximum) and comes in a DFN8080 high-power package. This power MOSFET features 100V drain-source voltage (VDSS), ±300A drain current (ID), and 340W power dissipation (PD). The RY7P250BM MOSFET offers a wide Safe Operating Area (SOA) that helps the MOSFET withstand higher voltages and currents without damage, enhancing robustness and reliability. The ROHM RY7P250BM MOSFET is suitable for Hot Swap Controller (HSC) applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.