IAUZ4xN06S5 60 V OptiMOS™-5 MOSFET:ar för fordon

IAUZ4xN06S5 60 V OptiMOS™-5 MOSFET:ar för fordon från Infineon Technologies har låg drain-resistans i på-läge, låg grindladdning och låg grindkapacitans, vilket minimerar lednings- och switchningsförluster. Dessa N-kanals MOSFET:ar med förbättringsläge har även en extremt låg laddning för omvänd återhämtning på 22,7 nC till 23 nC. 

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFET_)40V 60V)
Datablad
4 057På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er MOSFET_)40V 60V)
Datablad
13 003På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel