GD3162 Avancerade IGBT/SiC-gatedrivenheter

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Serie Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Isoleringsspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076På lager
704Förväntad 2026-07-21
Min.: 1
Multipla: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 176
Multipla: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 176
Multipla: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray