Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIHH070N60EF-T1GE3

Name: Vishay SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH070N60EFT1GE3
Price: 79.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIHH070N60EFT1GE3

Tillverk: Nr.:

SIHH070N60EF-T1GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Datablad:

SIHH070N60EF-T1GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIHH070N60EF-T1GE3

På lager: 3 179

Lager:: 3 179 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 2 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	79,46 kr	79,46 kr
	48,61 kr	486,10 kr
	43,16 kr	4.316,00 kr
	42,95 kr	21.475,00 kr
	42,84 kr	42.840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	36,84 kr	110.520,00 kr
6 000	Beräkning

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-8 x 8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	36 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	71 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	50 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	202 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Falltid:	38 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	79 ns
Serie:	SIHH EF
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	36 ns
Enhetens vikt:	50 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

SiHH070N60EF Power MOSFET

Vishay SiHH070N60EF Power MOSFET features 4th generation E series technology, low Figure-of-Merit (FOM), and low effective capacitance. This power MOSFET is avalanche energy rated (UIS) and reduces switching and conduction losses. Typical applications include server and telecom power supplies, switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction (PFC) power supplies, motor drives, battery chargers, and welding.