CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs enable flyback topologies for auxiliary power supplies and DC-DC converters. These devices have continuous DC drain current (IDDC) for Rth(j-c,max) between 7.4A and 15A at 25°C and between 5.6A and 10.5A at 100°C. The Infineon Technologies SiC Trench MOSFET technology offers 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most flyback controllers for automotive applications.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datablad
525På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datablad
750På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datablad
750På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement