NSVMMUN2231LT1G

Name: onsemi NSVMMUN2231LT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMMUN2231LT1G
Price: 1.59 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NSVMMUN2231LT1G

Tillverk: Nr.:

NSVMMUN2231LT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Digitala transistorer SS SOT23 BR XSTR NPN 50V

Datablad:

NSVMMUN2231LT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NSVMMUN2231LT1G

På lager: 292

Lager:: 292

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 18 000

Förväntad 2027-01-01
Fabrikens ledtid:: 43

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1,59 kr	1,59 kr
	0,959 kr	9,59 kr
	0,60 kr	60,00 kr
	0,436 kr	218,00 kr
	0,382 kr	382,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	0,338 kr	1 014,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Digitala transistorer
RoHS-direktivet:
Konfiguration:	Single
Transistorns polaritet:	NPN
Typiskt ingångsmotstånd:	2.2 kOhms
Typiskt motståndsförhållande:	1
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23-3
Maximal driftsfrekvens:	10 kHz
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	50 V
Kontinuerlig dräneringsström:	100 mA
Pd - Effektavledning:	400 mW
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	MMUN2231L
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Kanalläge:	Depletion
Temperaturområde:	- 55 C to + 150 C
Produkttyp:	Digital Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NSVMMUN2231LT1G Datablad

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MMUN2231L NPN Bipolar Digital Transistor

onsemi MMUN2231L NPN Bipolar Digital Transistor is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a single transistor with a monolithic bias network. This BRT is comprised of two resistors, a series base resistor (2.2kΩ) and a base-emitter resistor (2.2kΩ), and integrates them into a single device. The BRT reduces the component count and board space and simplifies the circuit design. This BRT is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The BRT is Pb and halogen/BFR-free and RoHS compliant. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.