Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 1597.18 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-H008T120M3F2PTHG

Tillverk: Nr.:

NXH008T120M3F2PTHG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Datablad:

NXH008T120M3F2PTHG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXH008T120M3F2PTHG

På lager: 28

Lager:: 28 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1.597,18 kr	1.597,18 kr
	1.485,45 kr	14.854,50 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Press Fit
Paket/låda:	PIM-29
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	129 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Förpackning:	Tray
Märke:	onsemi
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	20.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	20
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	EliteSiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	137 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	41.5 ns
Vf - Framspänning:	4.8 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXH008T120M3F2PTHG Datablad

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

onsemi NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module is a T-type neutral point clamped converter (TNPC) module based on 1200V M3S Planer SiC MOSFETs. NXH008T120M3F2PTHG is optimized for fast-switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This module exhibits optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.