Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RGW00TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW00TK65DGVC11
Price: 77.5 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RGW00TK65DGVC11

Tillverk: Nr.:

RGW00TK65DGVC11

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Datablad:

RGW00TK65DGVC11 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	77,50 kr	77,50 kr
	45,34 kr	453,40 kr
	38,26 kr	3.826,00 kr
	35,10 kr	15.795,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-3PFM-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.9 V
Maximal grind-emitterspänning:	30 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	45 A
Pd - Effektavledning:	89 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Gate-sändarens läckström:	200 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	IGBTs
Del # Alias:	RGW00TK65D

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RGW00TK65DGVC11 Datablad (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.