NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Produkt
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Gate-sändarens läckström
Pd - Effektavledning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Förpackning
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT-moduler PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT-moduler MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Datablad
36På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT-moduler MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Datablad
72Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 36
Multipla: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray