Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 4.22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

637-MMFTP6312D

Tillverk: Nr.:

MMFTP6312D

Tillverk:

Diotec Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Datablad:

MMFTP6312D Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diotec Semiconductor MMFTP6312D

På lager: 2 766

Lager:: 2 766 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	4,22 kr	4,22 kr
	3,01 kr	30,10 kr
	2,10 kr	210,00 kr
	1,84 kr	920,00 kr
	1,71 kr	1.710,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,26 kr	3.780,00 kr
	0,937 kr	8.433,00 kr
	0,916 kr	21.984,00 kr
	0,709 kr	31.905,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diotec Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-26-6
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	115 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.5 V
Qg - Gate-laddning:	4.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	960 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	8 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	13 ns
Serie:	MMFTN/P
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MMFTP6312D Datablad (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.