Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SICW080N120Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120Y-BP
Price: 183.88 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

833-SICW080N120Y-BP

Tillverk: Nr.:

SICW080N120Y-BP

Tillverk:

Micro Commercial Components (MCC)

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar

Datablad:

SICW080N120Y-BP Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP

På lager: 1 737

Lager:: 1 737 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 1737 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	183,88 kr	183,88 kr
	151,29 kr	1 512,90 kr
	130,91 kr	13 091,00 kr
	130,80 kr	65 400,00 kr
	121,54 kr	121 540,00 kr
1 800	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	85 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	41 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	220 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Micro Commercial Components (MCC)
Förpackning:	Bulk
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	SICW080N120Y
Fabriksförpackningskvantitet:	1800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SICW080N120Y-BP Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC N-Channel MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) 1200V SiC N-Channel MOSFET is designed for high switching frequency and high blocking voltage with low on-resistance and avalanche capability. This MOSFET operates within a gate-source voltage of -4V to 18V and performs optimally at 18V. The 1200V n-channel MOSFET at operates on a temperature range of -55°C to 175°C and thermal resistance of 0.68°C /W junction to case. This MOSFET is halogen-free, lead-free/RoHS compliant, and includes epoxy with a flammability rating of UL 94 V-0. The applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, battery chargers, and motor drivers. SICW080N120Y-BP