Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 37.5 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NCV51561BBDWR2G

Tillverk: Nr.:

NCV51561BBDWR2G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Datablad:

NCV51561BBDWR2G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NCV51561BBDWR2G

På lager: 982

Lager:: 982 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 28 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	37,50 kr	37,50 kr
	28,45 kr	284,50 kr
	26,05 kr	651,25 kr
	23,54 kr	2.354,00 kr
	21,69 kr	5.422,50 kr
	21,36 kr	10.680,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	19,95 kr	19.950,00 kr
	19,40 kr	38.800,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar
RoHS-direktivet:
Serie:	NCV51561
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-16
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Utbredningsförsening - Max:	58 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	2 Output
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Produkttyp:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning:	5 V
Minimal matningsspänning:	3 V
Teknologi:	SiC
Typ:	High-Side, Low-Side

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NCV51561BBDWR2G Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV51561 Isolated Dual Channel Gate Driver

onsemi NCV51561 Isolated Dual-Channel Gate Driver features a 4.5A source and 9A sink peak current with short and matched propagation delays. The NCV51561 is intended for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.