Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 34.88 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTMTS0D7N04CTXG

Tillverk: Nr.:

NTMTS0D7N04CTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er AFSM T6 40V SG NCH

Datablad:

NTMTS0D7N04CTXG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTMTS0D7N04CTXG

På lager: 1 617

Lager:: 1 617 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 13 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	34,88 kr	34,88 kr
	22,89 kr	228,90 kr
	16,02 kr	1 602,00 kr
	14,17 kr	7 085,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	13,19 kr	39 570,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFNW-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	420 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	670 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	140 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	205 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	20.4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	200 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	18.1 ns
Serie:	NTMTS0D7N04C
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	61 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	28.9 ns
Enhetens vikt:	319,280 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTMTS0D7N04CTXG Datablad

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET is produced using onsemi’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process minimizes on-state resistance while maintaining superior switching performance with a leading soft body diode. The onsemi NTMTS0D7N04C offers 420A continuous drain current (I_D) and a low drain-to-source on-resistance (R_DS(on) of 0.67mΩ (max.).