CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

Resultat: 109
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
Datablad
375På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
6På lager
1 440Förväntad 2026-03-26
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
94På lager
240Förväntad 2026-07-09
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
11På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
121På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 500V 32.4A TO220-3
Datablad
198På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
207Förväntad 2026-03-05
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er CONSUMER
Datablad
888Förväntad 2026-04-09
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_LEGACY
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V TO-220FP-3
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 21A I2PAK-3
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 11 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 240
Multipla: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube