AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 40.22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-AFGB30T65RQDN

Tillverk: Nr.:

AFGB30T65RQDN

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

AFGB30T65RQDN Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi AFGB30T65RQDN

På lager: 560

Lager:: 560 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	40,22 kr	40,22 kr
	26,49 kr	264,90 kr
	19,73 kr	1.973,00 kr
	17,66 kr	8.830,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	15,59 kr	12.472,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	D2PAK-3
Monteringsstil:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.58 V
Maximal grind-emitterspänning:	20 V, 30 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	68 A
Pd - Effektavledning:	235.48 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Produkttyp:	IGBTs
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AFGB30T65RQDN Datablad

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.