DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

Resultat: 11
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 50V .38A 190På lager
20 000Förväntad 2026-10-26
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 P-CH 30V .52A 614På lager
40 000Förväntad 2027-01-04
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 P-CH 30V .6A 6 575På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 600 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 60V .38A
29 624Förväntad 2026-10-26
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 60V .35A
39 527Förväntad 2026-08-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 20V 1.2A
9 692Förväntad 2026-08-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 310 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 630 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 30V .9A
20 000Förväntad 2026-08-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 900 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 620 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 30V .77A
9 900Förväntad 2027-02-08
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 P-CH 20V .8A
29 929Förväntad 2026-08-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 640 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 N-CH 20V .8A
30 000Förväntad 2027-02-08
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT8001 P-CH 20V .53A
19 805På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel