eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Resultat: 12
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Datablad
1 976På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Datablad
1 945På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Datablad
1 904På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Datablad
1 976På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Datablad
2 000På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 17A FET
Datablad
2 060På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 17A FET
Datablad
1 728På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8072 100V 60A FET
Datablad
1 705På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8073 150V 28A FET
Datablad
4 698På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 29A FET
Datablad
286På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 11.5A FET
Datablad
720På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 11.5A FET
Datablad
2 483Förväntad 2026-03-09
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement