60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

Resultat: 27
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Förpackning
Panjit MOSFET:er 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

Si 60 V 11.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET:er 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC AEC-Q101 Reel