Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXH40B120MNQ0SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ0SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ0SNG
Price: 799.41 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

863-NXH40B120MNQ0SNG

Tillverk: Nr.:

NXH40B120MNQ0SNG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler 80KW GENII 1200V 80MOHM S

Datablad:

NXH40B120MNQ0SNG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXH40B120MNQ0SNG

På lager: 24

Lager:: 24 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	799,41 kr	799,41 kr
	731,61 kr	7 316,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	118 W
Serie:	NXH40B120MNQ0
Förpackning:	Tray
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Produkttyp:	MOSFET Modules
Fabriksförpackningskvantitet:	24
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	EliteSiC

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXH40B120MNQ0SNG Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH40B120MNQ0 komplett SiC-MOSFET-modul

Den kompletta SiC-MOSFET-modulen NXH40B120MNQ0 från onsemi innehåller ett dubbelt förstärkarsteg bestående av två SiC-MOSFET:ar på 40 mΩΩ/1 200 V och två SiC-dioder på 40 A /1 200 V. De inbyggda MOSFET:arna och dioderna i systemkretsen har lägre ledningsförluster och switchningsförluster, vilket gör det möjligt för konstruktörer att uppnå hög effektivitet och överlägsen tillförlitlighet. Den kompletta MOSFET-modulen NXH40B120MNQ0 i en systemkrets innehåller två ytterligare förbikopplingslikriktare på 50 A/1200 V som används för strömbegränsning vid tillslag, samt en inbyggd termistor. Denna kompletta MOSFET-modul i en systemkrets har låg omvänd återhämtning och snabba switchningsdioder i systemkretsen, låg induktiv layout, lödstift och termistor. Den kompletta SiC-MOSFET-modulen NXH40B120MNQ0 används med fördel i solcellsomvandlare och avbrottsfria strömförsörjningar.