MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers

NXP Semiconductors MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are single-channel gate drivers for insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and Silicon Carbide (SiC) power devices. The NXP MC33GD3100 Gate Drivers feature advanced functional safety, control, and protection features, making it ideal for automotive and EV powertrain applications (fully AEC-Q100 grade 1 qualified). Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage, and rail-to-rail gate voltage control. Current and temperature sense minimizes IGBT stress during faults. Accurate and configurable under-voltage lockout (UVLO) protects while ensuring sufficient gate drive voltage headroom.

Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Serie Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 99 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 99 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel