600 V och 1200 V TRENCHSTOP IGBT:er

Infineon 600 V och 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT:er kombinerar trenchstop-cell och fieldstop-konceptet för att väsentligt förbättra den statiska och dynamiska prestandan. En kombination med IGBT:er och en sändarkontrollerad diod med mjuk återhämtning minimerar tillslagsförlusterna ytterligare. En kompromiss mellan switch- och överföringsförluster ger en hög effektivitet.
Läs mer

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Paket/låda
Monteringsstil
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Maximal grind-emitterspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Pd - Effektavledning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Datablad
1 823På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Datablad
480Förväntad 2027-02-11
Min.: 1
Multipla: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Datablad
Ledtid 36 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube