CGHV600 6GHz GaN HEMT:er

Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.
Learn More

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Pd - Effektavledning
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Datablad
Produktkommenterarer
Ledtid 26 Veckor
Min.: 10
Multipla: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Datablad
Produktkommenterarer
10På lager
Min.: 10
Multipla: 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W