Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QPD0011EVB1

Name: Qorvo QPD0011EVB1
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0011EVB1
Price: 10300.5 SEK
Availability: OutOfStock

Mouser nr:

772-QPD0011EVB1

Tillverk: Nr.:

QPD0011EVB1

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

RF-utvecklingsverktyg 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD0011EVB1

Leveransavisering:

Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	10.300,50 kr	10.300,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	RF-utvecklingsverktyg
Leveransrestriktioner:	Produkten är endast tillgänglig för OEM/EMS-kunder och kunder inom konstruktionsverksamhet. Produkten levereras inte till konsumenter inom EU eller Storbritannien.
RoHS-direktivet:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	RF Transistor
Verktyget är till för utvärdering av:	QPD0011
Frekvens:	3.3 GHz to 3.6 GHz
Märke:	Qorvo
För användning med:	GaN HEMTs
Produkttyp:	RF Development Tools
Serie:	QPD0011
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Development Tools
Del # Alias:	QPD0011

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPD0011EVB1 Evaluation Board

Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.