NCP51705MNTXG

onsemi
863-NCP51705MNTXG
NCP51705MNTXG

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter SIC MOSFET DRIVER

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om onsemi NCP51705MNTXG

På lager: 11 603

Lager:
11 603 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
38,70 kr 38,70 kr
29,76 kr 297,60 kr
27,47 kr 686,75 kr
24,53 kr 2.453,00 kr
22,35 kr 5.587,50 kr
21,80 kr 10.900,00 kr
20,93 kr 20.930,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
20,82 kr 62.460,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
QFN-24
1 Driver
1 Output
6 A
10 V
22 V
8 ns
8 ns
- 40 C
+ 125 C
NCP51705
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Logiktyp: TTL
Maximal förseningstid vid avstängning: 50 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 50 ns
Arbetsström: 12 mA
Pd - Effektavledning: 2.9 W
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 50 ns
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

NCP51705 Gate Driver

onsemi NCP51705 Gate Driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. This gate driver achieves the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum gate voltage to the SiC MOSFET device. The NCP51705 driver utilizes its onboard charge pump to generate a user selectable negative voltage rail. This gate driver provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto-isolators. The NCP51705 driver offers protection functions such as under-voltage lockout monitoring and thermal shutdown based on the junction temperature of the driver circuit. Typical applications include driving SiC MOSFETs, industrial inverters, motor drivers, PFC, AC to DC, and DC to DC converters.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.